继电器和mos管功耗一样吗

继电器和mos管功耗不一样，MOS是场效应晶体管，而继电器属于开关电器，两者不存在共用或者互换的地方。继电器是一种电控制器件，是当输入量的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有控制系统和被控制系统之间的互动关系。通常应用于自动化的控制电路中，它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种自动开关。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。

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mos管继电器之间有什么区别

共同点是用小信号控制器大电流。但mos管是电压驱动，继电器是电流驱动，最大的区别是mos管可以工作在几十k或几百K以上的频率。继电器远达不到这样的工作频率。

mosfet可以替代继电器吗?常用的mosfet有哪些?

看情况，理论上说，它可以代替继电器，实现电路的开关，具有功耗低，开关速度快，电路简单、成本低等优点。

不过在实际使用时，MOSFET的关断比较麻烦，比开启麻烦多了，有些人嫌麻烦会直接用继电器。另外，在直流控制交流的时候，比如用5V

DC控制220V

AC时，继电器也比MOSFET要方便得多。

常用的MOSFET以N沟道增强型的为主，比如IRF公司出的很多产品，比如IRF530，IRF540，IRF1405，IRF3205，IRF840，IRFZ44N，IRFP460，IRFP150等等，以上都是N沟道增强型，P沟道增强型有IRF9530，IRF9540等等，还有诸如2N7002等贴片封装的增强型NMOS。耗尽型我没用过。种类很多很多，具体要看你的电流，工作要求定。

求什么开关管（MOS管，可控硅，光耦，继电器）耗电最小？

你上问的四类中继电器的功耗最小，因它的触点电阻最小。

继电器做开关和MOSFET做开关,两者有什么区别呢?

1、阻抗不同，为了实施开关动作，其耗电量不同。x0dx0a（1）MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件，也就是为了能在漏极端有电流产生，必须在闸极与源极之间，提供额定的电压值，由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(siliconoxidelayer)作电气上的隔离，因此，仅有微量的漏电流会由所供应的电压源进入闸极。所以MOSFET具有极高的增益与极高的阻抗。x0dx0ax0dx0a（2）继电器是通过线圈控制的，必须施加电流，其阻抗低，为了开关耗费的电量相对大一些。x0dx0a2、关断原理不同x0dx0a（1）要将MOSFET关闭（OFF）时，只要将闸极至源极电压移去，即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭，此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗，因而除了漏电流（几微安培），可抑制其它的电流产生。x0dx0a（2）继电器是通过改变继电器线圈的电流，实现触点分离，理论上可以说，断开后没有漏电流。x0dx0ax0dx0a3、要想实现常开（常闭）开关，继电器很好实现，而MOSFET需要合理设计电路才行。

mos管和继电器有什么区别吗？ 控制电磁阀那个更好

mos管是半导体元件，耐过流、过热性没继电器好。但通断无噪音，无火花。另外mos管是压控元件，控制电流小。工业用还是继电器更可靠，环境要求更低。

MOSFET是干啥用的，是相当于继电器吗

MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。能以极低的（几乎为零）的电能控制大功率负荷的通断，接合光电耦合器和适当的MOSFET组合可达到隔离、双向导通的控制效果，等效于继电器，在开关速度以及耐压、抗震方面高于电磁继电器指标。同等负载功率下，成本也远低于继电器。缺点是比电磁继电器容易随坏，需要更多的保护电路来配合使用才能提高稳定性。另外，电磁继电器可轻而易举达到多组触点隔离联动、常开常闭功能，一只（或一对）MOSFET只能实现一个触点，要想实现多组以及三点开关（常开常闭）这些功能，工程可就大了。

mos管继电器之间有什么区别

NO端的PMOS管的接法有问题，按这个接法恐怕无法导通，需要进行调整。 驱动切换时间不知道需要多快，目前这个电路做到毫秒以内是没有问题的；电源输入不稳定方面的影响，只要电源上不出现特别大的波动（低到10V以内），问题都不会太大。 需要注意的是MOS管的开启电压和光耦输出端的饱和压降之间的配合，光耦饱和压降应该低于开启电压一半以上。

继电器与MOS管，用哪个

你好，

采用线圈电压较低的多个优质密封小型继电器组合而成，防潮、防尘、不断线，可靠性高，克服了电查看图片[中间继电器样本图]磁型中间继电器导线过细易断线的缺点；功耗小，温升低，不需外附大功率电阻，可任意安装及接线方便；继电器触点容量大，工作寿命长；继电器动作后有发光管指示，便于现场观察；延时只需用面板上的拨码开关整定，延时精度高，延时范围可在0.02-5.00S任意整定。

中间继电器的用途：

中间继电器用于各种保护和自动控制线路中，以增加保护和控制回路的触点数量和触点容量。

谁知道用mos管控制导通三极管的和继电器控制导通各有什么区别特点或者说应用场合？

三极管：最熟悉，不过管耗很大，效率不高，且速度慢。

MOS管：理论上很容易控制，而且速度快，实际控制的话并不容易，需要专用驱动芯片，而且关闭比开启要难得多，经常会出现关不断的情况（特别是对于新手）。

继电器：在6A这种场合，你可以考虑固态继电器，控制起来非常方便，开关几十万次问题不大。不过你要是频繁开启（比如每秒钟要开关几十次），并不合适。

mos管的功率和功耗分别是什么？

功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。

功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。

扩展资料

功率就是表示物体做功快慢的物理量，物理学里功率P=功J/时间t，单位是瓦w，我们在媒体上常常看见的功率单位有kW、Ps、hp、bhp、whpmw等，还有意大利以前用的cv。

千瓦kW为国际标准单位，1kW=1000W，用1秒做完1000焦耳的功，其功率就是1kw。日常生活中，常常把功率俗称为马力，单位是匹，就像将扭矩称为扭力一样。

功耗分两种：来自开关的动态功耗，和来自漏电的静态功耗。而动态功耗又可分为电容充放电（包括网络电容和输入负载），还有当P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流。

静态功耗也可分为几类：扩散区和衬底形成二极管的反偏电流(Idiode)，另外一类为关断晶体管中通过栅氧的电流（Isubthreshold)。芯片的漏电会随温度变化，所以当芯片发热时，静态功耗指数上升。另外漏电流也会随特征尺寸减少而增加。

参考资料来源：百度百科-功率

参考资料来源：百度百科-功耗